heteroepitaxy ของ CBN

การใช้ไดมอนด์เป็นสารตั้งต้นซึ่งมีค่าคงที่ของขัดแตะและพลังงานพื้นผิวใกล้เคียงกับ CBN มากช่วยให้การเจริญเติบโต heteroepitaxial ของ CBN ความสำเร็จของซิงเกิ้ล epitaxial เหล่านี้ - ฟิล์มบางคริสตัล CBN ทำให้มันเป็นไปได้ที่จะใช้ฟิล์มบาง CBN อย่างมีประสิทธิภาพเพื่อผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์

 

 

นอกจากนี้วัสดุอื่น ๆ ยังสามารถใช้เป็นสารตั้งต้นสำหรับการเจริญเติบโตแบบ heteroepitaxial ของฟิล์ม CBN ตัวอย่างเช่นหลังจากการรักษา pre - การรักษาสารตั้งต้นของซิลิกอน TBN สามารถปลูกได้โดยตรงบนพื้นผิวช่วยลดความหนาของชั้นการเปลี่ยนผ่านได้อย่างมีประสิทธิภาพ

 

เว็บไซต์ Chinadiatools เผยแพร่และแบ่งปันข้อมูลล่าสุดที่ครอบคลุมและเป็นมืออาชีพมากที่สุดเกี่ยวกับเครื่องมือไดมอนด์และเครื่องมือ CBN